碳化硅保護管是以高純度碳化硅（SiC，純度≥95%）為主要原料，通過高溫燒結工藝制成的管狀陶瓷器件。其核心優勢源于碳化硅的共價鍵強晶體結構，具有高耐溫、耐腐蝕、高硬度、高導熱、使用壽命長等特性， 可用作在大量的粉塵污染，腐蝕環境，高溫下進行測溫用的熱電偶保護管，還可用作熔融金屬測溫的熱電偶保護管。廣泛應用與冶金行業、工業、化工行業、科研和高端制造等行業。
碳化硅保護管是以高純度碳化硅（SiC，純度≥95%）為主要原料，通過高溫燒結工藝制成的管狀陶瓷器件。其核心優勢源于碳化硅的共價鍵強晶體結構，具有高耐溫、耐腐蝕、高硬度、高導熱、使用壽命長等特性， 可用作在大量的粉塵污染，腐蝕環境，高溫下進行測溫用的熱電偶保護管，還可用作熔融金屬測溫的熱電偶保護管。廣泛應用與冶金行業、工業、化工行業、科研和高端制造等行業。
技術參數：
主要成分： SiC 純度≥95%（高純型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 級 僅次于金剛石，耐磨性優異；
線膨脹系數： 4.0~4.5×10??/℃（20~1000℃）
熱膨脹率低，抗熱震性優于多數陶瓷；
最高使用溫度： 1600℃（長期），短時耐溫≤2000℃；
空氣氣氛中，表面會形成 SiO?氧化膜（約 1200℃開始生成），
保護內部碳化硅；
尺寸: 可根據不同需求定制
碳化硅保護管是以高純度碳化硅（SiC，純度≥95%）為主要原料，通過高溫燒結工藝制成的管狀陶瓷器件。其核心優勢源于碳化硅的共價鍵強晶體結構，具有高耐溫、耐腐蝕、高硬度、高導熱、使用壽命長等特性， 可用作在大量的粉塵污染，腐蝕環境，高溫下進行測溫用的熱電偶保護管，還可用作熔融金屬測溫的熱電偶保護管。廣泛應用與冶金行業、工業、化工行業、科研和高端制造等行業。
技術參數：
主要成分： SiC 純度≥95%（高純型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 級 僅次于金剛石，耐磨性優異；
線膨脹系數： 4.0~4.5×10??/℃（20~1000℃）
熱膨脹率低，抗熱震性優于多數陶瓷；
最高使用溫度： 1600℃（長期），短時耐溫≤2000℃；
空氣氣氛中，表面會形成 SiO?氧化膜（約 1200℃開始生成），
保護內部碳化硅；
尺寸: 可根據不同需求定制
碳化硅保護管是以高純度碳化硅（SiC，純度≥95%）為主要原料，通過高溫燒結工藝制成的管狀陶瓷器件。其核心優勢源于碳化硅的共價鍵強晶體結構，具有高耐溫、耐腐蝕、高硬度、高導熱、使用壽命長等特性， 可用作在大量的粉塵污染，腐蝕環境，高溫下進行測溫用的熱電偶保護管，還可用作熔融金屬測溫的熱電偶保護管。廣泛應用與冶金行業、工業、化工行業、科研和高端制造等行業。
技術參數：
主要成分： SiC 純度≥95%（高純型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 級 僅次于金剛石，耐磨性優異；
線膨脹系數： 4.0~4.5×10??/℃（20~1000℃）
熱膨脹率低，抗熱震性優于多數陶瓷；
最高使用溫度： 1600℃（長期），短時耐溫≤2000℃；
空氣氣氛中，表面會形成 SiO?氧化膜（約 1200℃開始生成），
保護內部碳化硅；
尺寸: 可根據不同需求定制
碳化硅保護管是以高純度碳化硅（SiC，純度≥95%）為主要原料，通過高溫燒結工藝制成的管狀陶瓷器件。其核心優勢源于碳化硅的共價鍵強晶體結構，具有高耐溫、耐腐蝕、高硬度、高導熱、使用壽命長等特性， 可用作在大量的粉塵污染，腐蝕環境，高溫下進行測溫用的熱電偶保護管，還可用作熔融金屬測溫的熱電偶保護管。廣泛應用與冶金行業、工業、化工行業、科研和高端制造等行業。
技術參數：
主要成分： SiC 純度≥95%（高純型≥99%） ；
莫氏硬度： 9.5 級 僅次于金剛石，耐磨性優異；
線膨脹系數： 4.0~4.5×10??/℃（20~1000℃）
熱膨脹率低，抗熱震性優于多數陶瓷；
最高使用溫度： 1600℃（長期），短時耐溫≤2000℃；
空氣氣氛中，表面會形成 SiO?氧化膜（約 1200℃開始生成），
保護內部碳化硅；
尺寸: 可根據不同需求定制
