晶體生長爐主要由晶體提拉控制系統(tǒng)、晶體旋轉(zhuǎn)控制系統(tǒng)、真空泵操作控制系統(tǒng)、晶體生長溫度控制系統(tǒng)等部分組成。采用驅(qū)動、傳動技術(shù)及配套裝置;采用工藝及材料制作的密封裝置。同時采用了可編程的爐溫控制裝置，實現(xiàn)了爐溫自動控制，是生長高熔點人工晶體的理想設(shè)備。
布里奇曼晶體生長爐是在真空、保護氣氛或氧化氣氛下的晶體生長，主要應(yīng)用于半導體材料領(lǐng)域，用于生長各種單晶體，包括硅、藍寶石、氮化硅、碳化硅等.它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
產(chǎn)品名稱 | 布里奇曼晶體生長爐 | ||
產(chǎn)品型號 | HT-BCSF | ||
最高溫度 | 1100℃ | 1200℃ | 1700℃ |
連續(xù)工作溫度 | ≤1000℃ | ≤1100℃ | ≤1650℃ |
工作電壓 | 220V/380V 50/60HZ | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
法蘭 | 一對不銹鋼密封法蘭 | ||
爐管 | 石英爐管 | ||
控制系統(tǒng) | 采用PID方式控溫，可設(shè)置30段升降溫程序 具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能 | ||
保質(zhì)期 | 一年質(zhì)保期，終身維護（不包含損耗件，如加熱元件，爐管和密封圈等） | ||
布里奇曼晶體生長爐是在真空、保護氣氛或氧化氣氛下的晶體生長，主要應(yīng)用于半導體材料領(lǐng)域，用于生長各種單晶體，包括硅、藍寶石、氮化硅、碳化硅等.它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
產(chǎn)品名稱 | 布里奇曼晶體生長爐 | ||
產(chǎn)品型號 | HT-BCSF | ||
最高溫度 | 1100℃ | 1200℃ | 1700℃ |
連續(xù)工作溫度 | ≤1000℃ | ≤1100℃ | ≤1650℃ |
工作電壓 | 220V/380V 50/60HZ | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
法蘭 | 一對不銹鋼密封法蘭 | ||
爐管 | 石英爐管 | ||
控制系統(tǒng) | 采用PID方式控溫，可設(shè)置30段升降溫程序 具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能 | ||
保質(zhì)期 | 一年質(zhì)保期，終身維護（不包含損耗件，如加熱元件，爐管和密封圈等） | ||
布里奇曼晶體生長爐是在真空、保護氣氛或氧化氣氛下的晶體生長，主要應(yīng)用于半導體材料領(lǐng)域，用于生長各種單晶體，包括硅、藍寶石、氮化硅、碳化硅等.它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
產(chǎn)品名稱 | 布里奇曼晶體生長爐 | ||
產(chǎn)品型號 | HT-BCSF | ||
最高溫度 | 1100℃ | 1200℃ | 1700℃ |
連續(xù)工作溫度 | ≤1000℃ | ≤1100℃ | ≤1650℃ |
工作電壓 | 220V/380V 50/60HZ | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
法蘭 | 一對不銹鋼密封法蘭 | ||
爐管 | 石英爐管 | ||
控制系統(tǒng) | 采用PID方式控溫，可設(shè)置30段升降溫程序 具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能 | ||
保質(zhì)期 | 一年質(zhì)保期，終身維護（不包含損耗件，如加熱元件，爐管和密封圈等） | ||
布里奇曼晶體生長爐是在真空、保護氣氛或氧化氣氛下的晶體生長，主要應(yīng)用于半導體材料領(lǐng)域，用于生長各種單晶體，包括硅、藍寶石、氮化硅、碳化硅等.它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
產(chǎn)品名稱 | 布里奇曼晶體生長爐 | ||
產(chǎn)品型號 | HT-BCSF | ||
最高溫度 | 1100℃ | 1200℃ | 1700℃ |
連續(xù)工作溫度 | ≤1000℃ | ≤1100℃ | ≤1650℃ |
工作電壓 | 220V/380V 50/60HZ | ||
控溫精度 | ±1℃ | ||
法蘭 | 一對不銹鋼密封法蘭 | ||
爐管 | 石英爐管 | ||
控制系統(tǒng) | 采用PID方式控溫，可設(shè)置30段升降溫程序 具有超溫報警、斷偶提示、漏電保護等功能 | ||
保質(zhì)期 | 一年質(zhì)保期，終身維護（不包含損耗件，如加熱元件，爐管和密封圈等） | ||
