HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技術(shù)參數(shù)：
腔體 | 采用304不銹鋼腔體，帶有水冷夾層，可通入冷卻水 |
腔體上安裝有石英窗口，以便觀察樣品 | |
腔體真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔體尺寸：?257*360mm | |
電弧槍 | 共有4個電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水） |
鎢電極直徑?4mm | |
電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調(diào)節(jié) | |
起弧電源：17V/185A 電壓380V | |
熔煉溫度可達(dá)3000℃ | |
樣品臺 | 采用水冷銅坩堝 |
可投入樣品量為60g（按鐵計算） | |
提拉機構(gòu) | 控制器控制提拉機構(gòu)的提拉速度，行程和轉(zhuǎn)速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
轉(zhuǎn)速：0-40RPM | |
控制單元 | 可顯示和設(shè)置單晶生長的參數(shù)（起弧電流，提拉桿轉(zhuǎn)速，提拉行程和轉(zhuǎn)速） |
設(shè)備中配有一分子泵系統(tǒng)（機械泵+渦旋分子泵） | |
抽氣速率：100L/S | |
可使設(shè)備腔體的真空度達(dá)到10-5Torr（40分鐘內(nèi)） | |
循環(huán)水冷機 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
溫度控制：5～30℃ | |
設(shè)備尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一個旋轉(zhuǎn)的、冷卻的銅爐中被四個電弧熔化。將一根冷凍的鎢拉桿浸入熱熔液中。在旋轉(zhuǎn)過程中，拉桿緩慢抬起，使晶體生長。為了防止熔體和晶體氧化，整個過程在無氧和無濕的氣氛中進(jìn)行。可用于生長各種單晶體，包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等，它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技術(shù)參數(shù)：
腔體 | 采用304不銹鋼腔體，帶有水冷夾層，可通入冷卻水 |
腔體上安裝有石英窗口，以便觀察樣品 | |
腔體真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔體尺寸：?257*360mm | |
電弧槍 | 共有4個電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水） |
鎢電極直徑?4mm | |
電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調(diào)節(jié) | |
起弧電源：17V/185A 電壓380V | |
熔煉溫度可達(dá)3000℃ | |
樣品臺 | 采用水冷銅坩堝 |
可投入樣品量為60g（按鐵計算） | |
提拉機構(gòu) | 控制器控制提拉機構(gòu)的提拉速度，行程和轉(zhuǎn)速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
轉(zhuǎn)速：0-40RPM | |
控制單元 | 可顯示和設(shè)置單晶生長的參數(shù)（起弧電流，提拉桿轉(zhuǎn)速，提拉行程和轉(zhuǎn)速） |
設(shè)備中配有一分子泵系統(tǒng)（機械泵+渦旋分子泵） | |
抽氣速率：100L/S | |
可使設(shè)備腔體的真空度達(dá)到10-5Torr（40分鐘內(nèi)） | |
循環(huán)水冷機 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
溫度控制：5～30℃ | |
設(shè)備尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一個旋轉(zhuǎn)的、冷卻的銅爐中被四個電弧熔化。將一根冷凍的鎢拉桿浸入熱熔液中。在旋轉(zhuǎn)過程中，拉桿緩慢抬起，使晶體生長。為了防止熔體和晶體氧化，整個過程在無氧和無濕的氣氛中進(jìn)行。可用于生長各種單晶體，包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等，它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技術(shù)參數(shù)：
腔體 | 采用304不銹鋼腔體，帶有水冷夾層，可通入冷卻水 |
腔體上安裝有石英窗口，以便觀察樣品 | |
腔體真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔體尺寸：?257*360mm | |
電弧槍 | 共有4個電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水） |
鎢電極直徑?4mm | |
電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調(diào)節(jié) | |
起弧電源：17V/185A 電壓380V | |
熔煉溫度可達(dá)3000℃ | |
樣品臺 | 采用水冷銅坩堝 |
可投入樣品量為60g（按鐵計算） | |
提拉機構(gòu) | 控制器控制提拉機構(gòu)的提拉速度，行程和轉(zhuǎn)速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
轉(zhuǎn)速：0-40RPM | |
控制單元 | 可顯示和設(shè)置單晶生長的參數(shù)（起弧電流，提拉桿轉(zhuǎn)速，提拉行程和轉(zhuǎn)速） |
設(shè)備中配有一分子泵系統(tǒng)（機械泵+渦旋分子泵） | |
抽氣速率：100L/S | |
可使設(shè)備腔體的真空度達(dá)到10-5Torr（40分鐘內(nèi)） | |
循環(huán)水冷機 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
溫度控制：5～30℃ | |
設(shè)備尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一個旋轉(zhuǎn)的、冷卻的銅爐中被四個電弧熔化。將一根冷凍的鎢拉桿浸入熱熔液中。在旋轉(zhuǎn)過程中，拉桿緩慢抬起，使晶體生長。為了防止熔體和晶體氧化，整個過程在無氧和無濕的氣氛中進(jìn)行。可用于生長各種單晶體，包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等，它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
HT-TL-CGF是一款采用4電弧的提拉法單晶生長爐（采用Ar氣電弧對樣品熔融，提拉裝置提拉），其溫度可達(dá)3000℃。腔體為304不銹鋼腔體（帶有水冷夾層），真空度可達(dá)10-5Torr。此款單晶爐特備適合生長高熔點的單晶，如Ti單晶，YSZ，SIC和CeRh2Si等等。
技術(shù)參數(shù)：
腔體 | 采用304不銹鋼腔體，帶有水冷夾層，可通入冷卻水 |
腔體上安裝有石英窗口，以便觀察樣品 | |
腔體真空度：10-5Torr（采用分子泵） | |
腔體尺寸：?257*360mm | |
電弧槍 | 共有4個電弧槍，可讓樣品得到均勻的溫場（電弧槍都帶有冷卻水） |
鎢電極直徑?4mm | |
電弧腔體對樣品的角度和距離可手動調(diào)節(jié) | |
起弧電源：17V/185A 電壓380V | |
熔煉溫度可達(dá)3000℃ | |
樣品臺 | 采用水冷銅坩堝 |
可投入樣品量為60g（按鐵計算） | |
提拉機構(gòu) | 控制器控制提拉機構(gòu)的提拉速度，行程和轉(zhuǎn)速 |
提拉速度：0.2-10mm/h | |
提拉行程：0-70mm | |
轉(zhuǎn)速：0-40RPM | |
控制單元 | 可顯示和設(shè)置單晶生長的參數(shù)（起弧電流，提拉桿轉(zhuǎn)速，提拉行程和轉(zhuǎn)速） |
設(shè)備中配有一分子泵系統(tǒng)（機械泵+渦旋分子泵） | |
抽氣速率：100L/S | |
可使設(shè)備腔體的真空度達(dá)到10-5Torr（40分鐘內(nèi)） | |
循環(huán)水冷機 | 功率：800W |
水流速度：58L/min | |
制冷能力：5004W（17500Btu/hour） | |
溫度控制：5～30℃ | |
設(shè)備尺寸 | 800mm*800mm*1500mm（L*W*H） |
多晶材料在一個旋轉(zhuǎn)的、冷卻的銅爐中被四個電弧熔化。將一根冷凍的鎢拉桿浸入熱熔液中。在旋轉(zhuǎn)過程中，拉桿緩慢抬起，使晶體生長。為了防止熔體和晶體氧化，整個過程在無氧和無濕的氣氛中進(jìn)行。可用于生長各種單晶體，包括硅、藍(lán)寶石、氮化硅、碳化硅等，它可以生長高純度、高質(zhì)量和大尺寸的單晶體。
