系統(tǒng)(CVD)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。
4路質(zhì)子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
最高工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質(zhì) | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組，高真空復(fù)合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質(zhì)子流量計 | |
高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表，內(nèi)置氣體混氣系統(tǒng)， 不銹鋼針閥計管道，標(biāo)準(zhǔn)雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W最大可調(diào)±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風(fēng)冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關(guān)配件 | 氣煉石英爐管、真空法蘭、高溫手套、坩堝鉤、熱電偶、防燙罩、剛玉坩堝、爐塞 |
電氣認(rèn)證 | CE認(rèn)證 |
售后服務(wù) | 12個月質(zhì)保、終身保修 |
系統(tǒng)(CVD)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。
4路質(zhì)子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
最高工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質(zhì) | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組，高真空復(fù)合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質(zhì)子流量計 | |
高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表，內(nèi)置氣體混氣系統(tǒng)， 不銹鋼針閥計管道，標(biāo)準(zhǔn)雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W最大可調(diào)±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風(fēng)冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關(guān)配件 | 氣煉石英爐管、真空法蘭、高溫手套、坩堝鉤、熱電偶、防燙罩、剛玉坩堝、爐塞 |
電氣認(rèn)證 | CE認(rèn)證 |
售后服務(wù) | 12個月質(zhì)保、終身保修 |
系統(tǒng)(CVD)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。
4路質(zhì)子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
最高工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質(zhì) | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組，高真空復(fù)合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質(zhì)子流量計 | |
高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表，內(nèi)置氣體混氣系統(tǒng)， 不銹鋼針閥計管道，標(biāo)準(zhǔn)雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W最大可調(diào)±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風(fēng)冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關(guān)配件 | 氣煉石英爐管、真空法蘭、高溫手套、坩堝鉤、熱電偶、防燙罩、剛玉坩堝、爐塞 |
電氣認(rèn)證 | CE認(rèn)證 |
售后服務(wù) | 12個月質(zhì)保、終身保修 |
系統(tǒng)(CVD)為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，因而這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）， 內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀器的使用壽命。HTTF-1200-V-PECVD多路混氣PECVD系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于沉積高質(zhì)量SiO薄膜、Si3N4薄膜、金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學(xué)薄膜和炭納米管（CNT）等
混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應(yīng)，環(huán)境溫度在100-300℃，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化，從而大大提高了反應(yīng)物的活性，這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上，發(fā)生非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜，因此這種CVD稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）。
HTTF-1200-V-PECVD多路混氣真空管式爐PECVD系統(tǒng)，由HTTF-1200單溫區(qū)管式爐、真空系統(tǒng)、質(zhì)子流量計、射頻電源系統(tǒng)系統(tǒng)組成。
真空管式爐PECVD系統(tǒng)可在片狀或類似形狀樣品表面沉積SiOx、SiNx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SiC、類金剛石等多種薄膜，并可沉積p型、n型摻雜薄膜。沉積的薄膜具有良好的均勻性、致密性、粘附性、絕緣性。化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)廣泛應(yīng)用于刀具、高精模具、硬質(zhì)涂層、高端裝飾等領(lǐng)域。
4路質(zhì)子混氣管式爐PECVD系統(tǒng) | |
爐管尺寸 | 直徑60mm |
加熱區(qū)長度 | 440mm(更多規(guī)格可按照客戶要求定制) |
正常工作溫度 | 1100℃ |
最高工作溫度 | 1200℃ |
加熱元件 | 摻鉬合金加熱絲 |
爐膛材質(zhì) | 采用日本進口爐膛材料，不掉粉、材料保溫性能好、反射率高、溫場均衡，抗熱漲冷縮能力強 |
控溫方式 | 智能化30段可編程控制（用戶可選配液晶觸摸屏顯示） |
真空系統(tǒng) | |
高真空分子泵組，高真空復(fù)合真空計 前級泵2升每秒，分子泵600升每秒 采用KF25系列波紋管和真空擋板閥連接 | |
質(zhì)子流量計 | |
高精度質(zhì)量流量計可準(zhǔn)確的控制氣體流量 氣體流量范圍為0-500ＳＣＣｍ 誤差為0.02% 出氣真空壓力表，內(nèi)置氣體混氣系統(tǒng)， 不銹鋼針閥計管道，標(biāo)準(zhǔn)雙卡套接頭 | |
射頻電源系統(tǒng) | |
輸出功率 | 50-500W最大可調(diào)±1% |
RF頻率 | 13.56MHz，穩(wěn)定性±0.005% |
噪聲 | ≤55DB |
冷卻 | 風(fēng)冷 |
輸入功率 | 1KW AC 220V |
提供相關(guān)配件 | 氣煉石英爐管、真空法蘭、高溫手套、坩堝鉤、熱電偶、防燙罩、剛玉坩堝、爐塞 |
電氣認(rèn)證 | CE認(rèn)證 |
售后服務(wù) | 12個月質(zhì)保、終身保修 |
