HTCF-1200井式坩堝爐
HTCF-1200井式坩堝爐
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐是由石英坩堝（或氧化鋁陶瓷坩堝）和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒或硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐工作溫度區間800℃至1200℃。該系列設備的控制系統國際領先，具有安全可靠，操作簡單，控溫精度高，保溫效果好，爐膛溫度均勻性高，可通氣氛抽真空等特點，廣泛應用于高等院校，科研院所等
產品型號 HTCF-V1200-JS
工作電源 AC220V 50/60HZ
爐膛尺寸 外徑205x內徑190x高340mm
額定功率 ≤3kw
外形尺寸 450x550x650mm
重 量 70kg
升溫速度 建議不超過20℃/min
產品特點 可裝真空裝置，能在多種氣氛下工作，50段程序控溫
加熱元件 含鉬電阻絲
常用溫度 ≤1100℃
最高溫度 1200℃
控溫方式 50段智能化程序PID模糊控制
恒溫精度 ±1℃
控溫儀表 智能溫控儀
密封方式 全封閉
爐 膛 氧化鋁多晶纖維爐膛，設計合理，經久耐用，保溫性能好，節能
測溫元件 K型熱電偶
爐門結構 上開式
最大真空極限 ≤0.1MPa
標準配件：一個，坩堝鉗1把，專用高溫手套1雙，使用說明書1份。
可選配件：觸摸屏控制、無紙記錄儀、遠程通訊控制系統。
常規型號
型號 | 爐膛尺寸 | 額定功率 | 最高溫度 | 加熱元件 | 電壓 | 升溫速率 |
HTCF-V1200-20 HTCF-V1400-20 HTCF-V1700-20 |
?200x200 mm | 3 kw 5kw 7kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-30 HTCF-V1400-30 HTCF-V1700-30 |
?300x300 mm | 5 kw 7kw 9kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-40 HTCF-V1400-40 HTCF-V1700-40 |
?400x400 mm | 7 kw 9kw 10kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
爐膛可以做成圓形也可以做成方形
注:產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅供參考。可能由于更新不及時和網站不可預知的BUG造成數據與實物的偏差。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息，請與本公司銷售人員聯系-- 電話：0371-63768262，可提供非標爐的定制。
HTCF-1200井式坩堝爐
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐是由石英坩堝（或氧化鋁陶瓷坩堝）和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒或硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐工作溫度區間800℃至1200℃。該系列設備的控制系統國際領先，具有安全可靠，操作簡單，控溫精度高，保溫效果好，爐膛溫度均勻性高，可通氣氛抽真空等特點，廣泛應用于高等院校，科研院所等
產品型號 HTCF-V1200-JS
工作電源 AC220V 50/60HZ
爐膛尺寸 外徑205x內徑190x高340mm
額定功率 ≤3kw
外形尺寸 450x550x650mm
重 量 70kg
升溫速度 建議不超過20℃/min
產品特點 可裝真空裝置，能在多種氣氛下工作，50段程序控溫
加熱元件 含鉬電阻絲
常用溫度 ≤1100℃
最高溫度 1200℃
控溫方式 50段智能化程序PID模糊控制
恒溫精度 ±1℃
控溫儀表 智能溫控儀
密封方式 全封閉
爐 膛 氧化鋁多晶纖維爐膛，設計合理，經久耐用，保溫性能好，節能
測溫元件 K型熱電偶
爐門結構 上開式
最大真空極限 ≤0.1MPa
標準配件：一個，坩堝鉗1把，專用高溫手套1雙，使用說明書1份。
可選配件：觸摸屏控制、無紙記錄儀、遠程通訊控制系統。
常規型號
型號 | 爐膛尺寸 | 額定功率 | 最高溫度 | 加熱元件 | 電壓 | 升溫速率 |
HTCF-V1200-20 HTCF-V1400-20 HTCF-V1700-20 |
?200x200 mm | 3 kw 5kw 7kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-30 HTCF-V1400-30 HTCF-V1700-30 |
?300x300 mm | 5 kw 7kw 9kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-40 HTCF-V1400-40 HTCF-V1700-40 |
?400x400 mm | 7 kw 9kw 10kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
爐膛可以做成圓形也可以做成方形
注:產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅供參考。可能由于更新不及時和網站不可預知的BUG造成數據與實物的偏差。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息，請與本公司銷售人員聯系-- 電話：0371-63768262，可提供非標爐的定制。
HTCF-1200井式坩堝爐
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐是由石英坩堝（或氧化鋁陶瓷坩堝）和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒或硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐工作溫度區間800℃至1200℃。該系列設備的控制系統國際領先，具有安全可靠，操作簡單，控溫精度高，保溫效果好，爐膛溫度均勻性高，可通氣氛抽真空等特點，廣泛應用于高等院校，科研院所等
產品型號 HTCF-V1200-JS
工作電源 AC220V 50/60HZ
爐膛尺寸 外徑205x內徑190x高340mm
額定功率 ≤3kw
外形尺寸 450x550x650mm
重 量 70kg
升溫速度 建議不超過20℃/min
產品特點 可裝真空裝置，能在多種氣氛下工作，50段程序控溫
加熱元件 含鉬電阻絲
常用溫度 ≤1100℃
最高溫度 1200℃
控溫方式 50段智能化程序PID模糊控制
恒溫精度 ±1℃
控溫儀表 智能溫控儀
密封方式 全封閉
爐 膛 氧化鋁多晶纖維爐膛，設計合理，經久耐用，保溫性能好，節能
測溫元件 K型熱電偶
爐門結構 上開式
最大真空極限 ≤0.1MPa
標準配件：一個，坩堝鉗1把，專用高溫手套1雙，使用說明書1份。
可選配件：觸摸屏控制、無紙記錄儀、遠程通訊控制系統。
常規型號
型號 | 爐膛尺寸 | 額定功率 | 最高溫度 | 加熱元件 | 電壓 | 升溫速率 |
HTCF-V1200-20 HTCF-V1400-20 HTCF-V1700-20 |
?200x200 mm | 3 kw 5kw 7kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-30 HTCF-V1400-30 HTCF-V1700-30 |
?300x300 mm | 5 kw 7kw 9kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-40 HTCF-V1400-40 HTCF-V1700-40 |
?400x400 mm | 7 kw 9kw 10kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
爐膛可以做成圓形也可以做成方形
注:產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅供參考。可能由于更新不及時和網站不可預知的BUG造成數據與實物的偏差。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息，請與本公司銷售人員聯系-- 電話：0371-63768262，可提供非標爐的定制。
HTCF-1200井式坩堝爐
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐是由石英坩堝（或氧化鋁陶瓷坩堝）和不銹鋼法蘭組成的真空坩堝爐。主要用于煅燒真空或惰性氣體保護下的高純度化合物或擴散半導體晶片，也可用于烘燒或燒結陶瓷材料。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒或硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，移相觸發、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節能等優點。
HTCF-1200系列井式真空坩堝爐工作溫度區間800℃至1200℃。該系列設備的控制系統國際領先，具有安全可靠，操作簡單，控溫精度高，保溫效果好，爐膛溫度均勻性高，可通氣氛抽真空等特點，廣泛應用于高等院校，科研院所等
產品型號 HTCF-V1200-JS
工作電源 AC220V 50/60HZ
爐膛尺寸 外徑205x內徑190x高340mm
額定功率 ≤3kw
外形尺寸 450x550x650mm
重 量 70kg
升溫速度 建議不超過20℃/min
產品特點 可裝真空裝置，能在多種氣氛下工作，50段程序控溫
加熱元件 含鉬電阻絲
常用溫度 ≤1100℃
最高溫度 1200℃
控溫方式 50段智能化程序PID模糊控制
恒溫精度 ±1℃
控溫儀表 智能溫控儀
密封方式 全封閉
爐 膛 氧化鋁多晶纖維爐膛，設計合理，經久耐用，保溫性能好，節能
測溫元件 K型熱電偶
爐門結構 上開式
最大真空極限 ≤0.1MPa
標準配件：一個，坩堝鉗1把，專用高溫手套1雙，使用說明書1份。
可選配件：觸摸屏控制、無紙記錄儀、遠程通訊控制系統。
常規型號
型號 | 爐膛尺寸 | 額定功率 | 最高溫度 | 加熱元件 | 電壓 | 升溫速率 |
HTCF-V1200-20 HTCF-V1400-20 HTCF-V1700-20 |
?200x200 mm | 3 kw 5kw 7kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-30 HTCF-V1400-30 HTCF-V1700-30 |
?300x300 mm | 5 kw 7kw 9kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
HTCF-V1200-40 HTCF-V1400-40 HTCF-V1700-40 |
?400x400 mm | 7 kw 9kw 10kw | 1200 C 1400 C 1700 C | 含鉬電阻絲 硅碳棒 硅鉬棒 | 220 V 或者 380 V |
≦20℃/min |
爐膛可以做成圓形也可以做成方形
注:產品介紹內容（包括產品圖片、產品描述、技術參數等）僅供參考。可能由于更新不及時和網站不可預知的BUG造成數據與實物的偏差。如果您對參數有異議，或者想了解產品詳細信息，請與本公司銷售人員聯系-- 電話：0371-63768262，可提供非標爐的定制。
